内存频率和延迟谁重要

服务器内存和普通内存的区别
服务器内存和普通内存，从广义上来看，二者没什么区别，在外观和结构上并没有什么实质性的区别。我们可以认为我服务器内存的级别比普通内存的级别更高。相比普通内存条，服务器内存有以下特点：

服务器内存追求的是稳定与纠错，不像普通内存那样追求更高的频率或者速度。
服务器内存在技术上更先进，大部分先进的技术都用在了服务器内存上，譬如ECC技术，chipkill、热插拔等技术。只有少数普通内存拥有ECC技术，UDIMM ECC就是这种内存，普通电脑也能用，只不过无法开启ECC功能。
服务器内存和普通内存都属于专用内存，意思就是二者不能互换使用，服务器内存只能用于服务器，普通内存只能用于普通电脑，如果互换使用，会无法识别。

小贴士：

ECC技术的主要作用就是数据纠错，因为服务器都是长时间运行，出现356天不间断工作也不奇怪，为了长期运行的稳定性，必须对内存数据进行纠错，才能确保指令的正确传达和执行。而普通电脑的连续运行时间就短的多了，而且个人电脑就算出错，重启一下影响也有限。

热插拔技术也是用于保证服务器长期不断电稳定运行的重要技术，其作用就是，在服务器开机运行的情况下，可以直接对内存条进行插拔操作，而普通的内存条就不具备这样的技术，想要换内存必须关机断电才行。

主要内存参数
内存参数我们主要关注的是内存型号，内存容量，内存频率和内存时序，其中内存型号和容量比较简单，内存频率相对而言也算容易，话说外行看频率，内行看时序，比较困难的是内存时序，内存时序我们会单独详细说明。

1、内存型号：目前市面上DDR4是主流，DDR3也会有一些，二者是不兼容的，如果你的主板只支持DDR4的内存条，你就买DDR4的内存条，如果只支持DDR3的就买DDR3内存，一般来说新一代的DDR4内存比DDR3内存性能要更优秀。

2、内存容量：内存容量就比较简单了，就是一根内存的大小，在内存插槽数量有限的情况下，如果需要更多的内存容量，那就选择更大容量的内存。

3、内存频率：和CPU频率概念差不多，用来表示内存的处理速度，我们平时看到的内存频率，如2133、2400、2666、3000这些都是等效频率，就目前而言，内存性能看这个等效频率就行了。没有必要深究核心频率那些东西了。

通常情况下，等效频率 = 实际工作频率 x 2，所以像CPU-Z，AIDA64 等工具中，显示内存频率只有标签值的一半的情况，譬如下图AIDA64显示的外部频率（内存频率）是1199.0MHz，等效频率是2399MHz，是前者的2倍。

4、内存时序：除了内存频率，内存时序是另外一个关键参数，其一般存储在内存条的SPD中。其表现形式往往是“A-B-C-D”，他们分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，通过调整这4项时序参数，可以提升内存性能，相关设定需要在主板BIOS中进行设定。

CL：内存CAS延迟时间

tRCD：内存行地址传输到列地址的延迟时间

tRP：内存行地址选通脉冲预充电时间

tRAS：内存行地址选通延迟

5、内存电压：内存从DDR1到DDR4，内存的电压越低，越节能，目前DDR4的内存电压一般是1.2V，不过实际上DDR4也有更高电压的，譬如1.35V，1.4V，1.5V之类，提高电压的主要目的就是超频，譬如那些高频内存的电压往往比较高，不过对此我们并不需要过于关注，因为主板往往支持这些电压。

内存时序说明
内存条时序参数对内存条性能的影响，总的来说在同代产品，同频率下，这些时延参数是越低的内存性能越好，不过很多时候时延和频率是鱼和熊掌的关系，要追求高频率，那这些时延参数就不得不降低，所以我们可以看到那些高频率的内存，其时延参数的值往往比较高。

1、CL：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长短）

同一代产品在同频率下，CL值越小内存条性能越好。我们可以发现从DDR1到DDR4，随着内存条的频率的提高，内存标示的CL值也越大，但是不同代的产品，不能简单的通过标示的CL值来对比其真实的CL延迟，从DDR1到DDR4真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。

我们通过计算DDR1到DDR4内存的CL延迟时间：

DDR-400 3-3-3-8：3*2/400=15 ns

DDR2-800 6-6-6-18：6*2/800=15 ns

DDR3-1333 9-9-9-24：9*2/1333=13.5 ns

DDR4-2133 15-15-15-35：15*2/2133=14 ns

DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns

根据上面的计算，可以看出历代产品的真实CL延迟差距并不大，根据DDR1到DDR4内存CL值与频率的关系，我们可以得出CL越大，能上去的频率越高的结论，所以我们在对内存进行超频时，可以通过调高CL值，获得更高的频率，或者通过降低CL值来提升延迟性能。

2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值

tRCD值对内存最大频率影响很大，一般来说这个值也是越小性能越好。当对内存进行超频的时候，可以通过加大电压和提高CL值，如果不希望对电压和CL值进行调整，那就只能把tRCD值增大。所以有时候tRCD值大不代表内存条差，反而代表内存条可以超频的空间更大。

3、tRP：在下一周期之前，预充电需要的时钟周期

理论上来说这个值也是越低越好，不过加大tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率和正确率，可让内存条的兼容性更好，也就是说如果内存不稳定，可以尝试将这个值加大一些。

4、tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期

理论上tRAS值越小越好，不过该值太小可能导致数据错误或丢失，太大会影响内存性能。同样的考虑到稳定性和兼容性，我们可以在内存不稳定的时候通过稍微放宽tRAS值来提升稳定性。

CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）。

首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。

如某内存其存取时间为6ns，而其内存时钟周期为6ns，如BIOS可调节CL设置，并设定为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。

从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，处理器的三级缓存很大，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。

选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。